大数据和人工智能时代对数据加载速度提出了更高的要求。然而，传统存储技术面临着平衡速度和耐用性的瓶颈。这一困境有望被打破。 10月8日，复旦大学科研团队宣布成功研制出首款基于二维硅的混合架构闪存芯片。相关成果发表在国际期刊《自然》上。 CMOS工艺的基本工艺表面看上去是平坦的，但实际上却有着显着的微观起伏。就像从太空看上海一样，细节高低错落。二维半导体就像是覆盖着一层薄膜。如何适应Salikon基表面的凹凸不平是技术实现的一大难点。复旦大学周鹏和刘春森团队经过五年的探索，终于实现了通过优化设计和集成工艺的协作，在原子尺度上将二维材料和 CMOS 衬底紧密贴合。芯片良率超过94%，超过集成电路制造行业89%的基准。作为首款二维硅基混合架构闪存，该芯片的性能超越了目前基本闪存技术，标志着混合架构从理论上进入了工程化阶段。今年4月，复旦大学周鹏、刘春森团队在natureN发表“曙光”二维闪存原型器件研究，实现400皮秒超高速非易失性存储，创下最快半导体充电技术记录，为提高计算强度奠定了原理基础。然而，从规模化生产的成功原理出发，仍然是团队面临的关键挑战。需要克服。目前，团队已完成从基础研究到工程应用的重大跨越。下一步将建立实验基地，与产业机构并存独立工程项目。计划用3至5年时间实现万亿规模一体化的目标。编辑：张云坤 编辑：周体